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71V256SA15Y8

更新时间： 2024-01-14 10:38:43

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	81K
描述
Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

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71V256SA15Y8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	0.300 INCH, SOJ-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	15 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J28	JESD-609代码：	e0
长度：	17.9324 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ28,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.556 mm
最大待机电流：	0.002 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	7.5184 mm
Base Number Matches：	1

71V256SA15Y8 数据手册

Lower Power

IDT71V256SA

3.3V CMOS Fast SRAM

256K (32K x 8-Bit)

Features

Description

◆

Ideal for high-performance processor secondary cache

Commercial (0°C to +70°C) and Industrial (–40°C to +85°C)

temperature range options

TheIDT71V256SAisa 262,144-bithigh-speedstaticRAMorganized

as32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliability

CMOStechnology.

◆

Fast access times:

TheIDT71V256SAhasoutstandinglowpowercharacteristicswhile

at the same time maintaining very high performance. Address access

times of as fast as 10ns are ideal for 3.3V secondary cache in 3.3V

desktopdesigns.

Whenpowermanagementlogicputs the IDT71V256SAinstandby

mode,itsverylowpowercharacteristicscontributetoextendedbatterylife.

BytakingCSHIGH,theSRAMwillautomaticallygotoalowpowerstandby

modeandwillremaininstandbyaslongasCSremainsHIGH.Further-

more,underfullstandbymode(CSatCMOSlevel,f=0),powerconsump-

tionisguaranteedtoalwaysbelessthan6.6mWandtypicallywillbemuch

smaller.

– CommercialandIndustrial:10/12/15/20ns

Low standby current (maximum):

– 2mAfullstandby

Small packages for space-efficient layouts:

– 28-pin 300 mil SOJ

– 28-pin TSOP Type I

Produced with advanced high-performance CMOS

technology

Inputs and outputs are LVTTL-compatible

Single 3.3V(±0.3V) power supply

◆

TheIDT71V256SAispackagedina28-pin300milSOJanda28-pin

300 mil TSOP Type I.

FunctionalBlockDiagram

VCC

GND

262,144 BIT

MEMORY ARRAY

ADDRESS

DECODER

A14

I/O

I/O CONTROL

INPUT

DATA

CIRCUIT

I/O7

CONTROL

CIRCUIT

3101 drw 01

JANUARY 2004

DSC-3101/08

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
71V256SA15YI	ROCHESTER	获取价格	32KX8 CACHE SRAM, 15ns, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28
71V256SA15YI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
71V256SA15YPZG	IDT	获取价格	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM
71V256SA15YPZG8	IDT	获取价格	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM
71V256SA15YPZGI	IDT	获取价格	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM
71V256SA15YPZGI8	IDT	获取价格	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM
71V256SA20TP	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDIP28
71V256SA20Y	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
71V256SA20Y8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
71V256SA20YPZG	IDT	获取价格	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM

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