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71V256SA12YI8

更新时间： 2023-05-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	88K
描述
Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

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71V256SA12YI8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	0.300 INCH, SOJ-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.83	最长访问时间：	12 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J28
JESD-609代码：	e0	长度：	17.9324 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ28,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.556 mm	最大待机电流：	0.002 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	7.5184 mm	Base Number Matches：	1

71V256SA12YI8 数据手册

Lower Power

IDT71V256SA

3.3V CMOS Fast SRAM

256K (32K x 8-Bit)

Features

Description

◆

Ideal for high-performance processor secondary cache

Commercial (0°C to +70°C) and Industrial (–40°C to +85°C)

temperature range options

TheIDT71V256SAisa 262,144-bithigh-speedstaticRAMorganized

as32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliability

CMOStechnology.

◆

Fast access times:

TheIDT71V256SAhasoutstandinglowpowercharacteristicswhile

at the same time maintaining very high performance. Address access

times of as fast as 10ns are ideal for 3.3V secondary cache in 3.3V

desktopdesigns.

Whenpowermanagementlogicputs the IDT71V256SAinstandby

mode,itsverylowpowercharacteristicscontributetoextendedbatterylife.

BytakingCSHIGH,theSRAMwillautomaticallygotoalowpowerstandby

modeandwillremaininstandbyaslongasCSremainsHIGH.Further-

more,underfullstandbymode(CSatCMOSlevel,f=0),powerconsump-

tionisguaranteedtoalwaysbelessthan6.6mWandtypicallywillbemuch

smaller.

– CommercialandIndustrial:10/12/15/20ns

Low standby current (maximum):

– 2mAfullstandby

Small packages for space-efficient layouts:

– 28-pin 300 mil SOJ

– 28-pin TSOP Type I

Produced with advanced high-performance CMOS

technology

Inputs and outputs are LVTTL-compatible

Single 3.3V(±0.3V) power supply

◆

TheIDT71V256SAispackagedina28-pin300milSOJanda28-pin

300 mil TSOP Type I.

FunctionalBlockDiagram

VCC

GND

262,144 BIT

MEMORY ARRAY

ADDRESS

DECODER

A14

I/O

I/O CONTROL

INPUT

DATA

CIRCUIT

I/O7

CONTROL

CIRCUIT

3101 drw 01

FEBRUARY 2009 DSC-3101/08

12 3 4 5 6 7 8

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71V256SA12YPZGI	IDT	获取价格	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM
71V256SA12YPZGI8	IDT	获取价格	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM
71V256SA15PZ8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28
71V256SA15Y8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
71V256SA15YI	ROCHESTER	获取价格	32KX8 CACHE SRAM, 15ns, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28
71V256SA15YI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
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