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7188L20DB

更新时间： 2024-01-07 18:52:29

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	363K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22

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7188L20DB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIP, DIP22,.3
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T22	JESD-609代码：	e0
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端子数量：	22	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16KX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP22,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B
最大待机电流：	0.0006 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
7188L20E	IDT	Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CDFP24	获取价格
7188L20F	IDT	Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, PDFP24, FP-24	获取价格
7188L20FB	IDT	Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CDFP24	获取价格
7188L20P	IDT	Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22	获取价格
7188L20SO	IDT	Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24	获取价格
7188L20Y	IDT	Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24	获取价格