5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP48,.6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T48 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 8192 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP48,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.19 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7140SA55CI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, SIDE BRAZED, DIP-48 |
|
| 7140SA55CI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48 |
|
| 7140SA55FGB8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
|
| 7140SA55FGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
|
| 7140SA55J | IDT |
获取价格 |
PLCC-52, Tube |
|
| 7140SA55JB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQCC52 |
|
| 7140SA55JGB8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
|
| 7140SA55JGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL |
|
| 7140SA55JGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
|
| 7140SA55JI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQCC52 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
