Datasheet > 7140SA55CGB8

7140SA55CGB8

更新时间： 2024-11-23 14:32:19

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	155K
描述
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

7140SA55CGB8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIP, DIP48,.6
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDIP-T48
JESD-609代码：	e3	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	8
端口数量：	2	端子数量：	48
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP48,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.19 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
Base Number Matches：	1

7140SA55CGB8 数据手册

IDT7130SA/LA

IDT7140SA/LA

HIGH SPEED

1K X 8 DUAL-PORT

STATIC SRAM

Features

◆

On-chip port arbitration logic (IDT7130 Only)

High-speed access

◆

BUSY output flag on IDT7130; BUSY input on IDT7140

INT flag for port-to-port communication

– Commercial: 20/25/35/55/100ns (max.)

– Industrial: 25/55/100ns (max.)

– Military: 25/35/55/100ns (max.)

Fully asynchronous operation from either port

Battery backup operation–2V data retention (LA only)

TTL-compatible, single 5V ±10% power supply

Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Available in 48-pin DIP, LCC and Ceramic Flatpack, 52-pin

PLCC, and 64-pin STQFP and TQFP

Green parts available, see ordering information

◆

Low-power operation

– IDT7130/IDT7140SA

— Active: 550mW (typ.)

— Standby: 5mW (typ.)

– IDT7130/IDT7140LA

— Active: 550mW (typ.)

— Standby: 1mW (typ.)

◆

MASTER IDT7130 easily expands data bus width to 16-or-

more-bits using SLAVE IDT7140

Functional Block Diagram

OER

OEL

R/W

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

(1,2)

I/O

Control

I/O

Control

(1,2)

BUSY

BUSYR

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

and

INTERRUPT

LOGIC

R/W

OEL

R/W

(2)

INT

INTL

2689 drw 01

NOTES:

1. IDT7130 (MASTER): BUSY is open drain output and requires pullup resistor.

IDT7140 (SLAVE): BUSY is input.

2. Open drain output: requires pullup resistor.

APRIL 2006

DSC-2689/13

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与7140SA55CGB8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
7140SA55CGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, GREEN, SI
7140SA55CGI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48
7140SA55CI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, SIDE BRAZED, DIP-48
7140SA55CI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48
7140SA55FGB8	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
7140SA55FGI8	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
7140SA55J	IDT	获取价格	PLCC-52, Tube
7140SA55JB8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQCC52
7140SA55JGB8	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
7140SA55JGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL

与7140SA55CGB8相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7140SA55CGB8

7140SA55CGB8 技术参数

7140SA55CGB8 数据手册

与7140SA55CGB8相关器件

与7140SA55CGB8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7140SA55CGB8

7140SA55CGB8 技术参数

7140SA55CGB8 数据手册

与7140SA55CGB8相关器件

与7140SA55CGB8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？