是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-68 | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.14 |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P68 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 29.464 mm | 内存密度: | 32768 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 68 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA68,11X11 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.683 mm |
最大待机电流: | 0.004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.325 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 29.464 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7133SA35J8 | IDT |
获取价格 |
PLCC-68, Reel | |
7133SA35PF | IDT |
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TQFP-100, Tray | |
7133SA35PF8 | IDT |
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TQFP-100, Reel | |
7133SA35PFB | IDT |
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暂无描述 | |
7133SA35PFI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
7133SA45F | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 45ns, CMOS, CQFP68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, FP-68 | |
7133SA45GB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 45ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, | |
7133SA45J | IDT |
获取价格 |
PLCC-68, Tube | |
7133SA45PF | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX16, 45ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
7133SA45PN | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX16, 45ns, CMOS, PQFP100 |