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7133LA90FG

更新时间： 2024-01-01 11:26:34

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	311K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, PQFP68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH, GREEN, FP-68

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7133LA90FG 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	QFF,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.58
最长访问时间：	90 ns	JESD-30 代码：	S-PQFP-F68
内存密度：	32768 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	68	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFF	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	FLAT	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

7133LA90FG 数据手册

IDT7133SA/LA,IDT7143SA/LA

High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM

Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges

Truth Table I – Non-Contention Read/Write Control⁽⁴⁾

LEFT OR RIGHT PORT⁽¹⁾

R/WLB

R/WUB

I/O0-7

I/O8-15

Function

Port Disabled and in Power Down Mode, ISB2, ISB4

CER = CEL = VIH, Power Down Mode, ISB1 or ISB3

DATAIN

DATAOUT

Data on Lower Byte and Upper Byte Written into Memory ⁽²⁾

Data on Lower Byte Written into Memory ⁽²⁾, Data in Memory Output on

Upper Byte⁽³⁾

Data in Memory Output on Lower Byte⁽³⁾, Data on Upper Byte Written into

Memory⁽²⁾

DATAOUT

DATAIN

Data on Lower Byte Written into Memory⁽²⁾

DATAOUT

DATAIN

DATAOUT

Data on Upper Byte Written into Memory ⁽²⁾

Data in Memory Output on Lower Byte and Upper Byte

High Impedance Outputs

2746 tbl 13

NOTES:

1. A^0L- A10L≠A0R - A10R

2. If BUSY = LOW, data is not written.

3. If BUSY = LOW, data may not be valid, see t^WDDand tDDD timing.

4. "H" = HIGH, "L" = LOW, "X" = Don’t Care, "Z" = High-Impedance, "LB" = Lower Byte, "UB" = Upper Byte

Truth Table II — Address BUSY

Arbitration

Inputs

Outputs

0L-A10L

(1)

0R-A10R

Function

Normal

BUSY

BUSYR

NO MATCH

MATCH

(2)

Write Inhibit⁽³⁾

2746 tbl 14

NOTES:

1. Pins BUSY^Land BUSYR are both outputs on the IDT7133 (MASTER). Both are

inputs on the IDT7143 (SLAVE). On Slaves the BUSY input internally inhibits

writes.

2. "L" if the inputs to the opposite port were stable prior to the address and enable

inputs of this port. “H” if the inputs to the opposite port became stable after the

address and enable inputs of this port. If t^APSis not met, either BUSYL or BUSYR

= VIL will result BUSYL and BUSYR outputs can not be LOW simultaneously.

3. Writes to the left port are internally ignored when BUSY^Loutputs are driving LOW

regardless of actual logic level on the pin. Writes to the right port are internally

ignored when BUSY^Routputs are driving LOW regardless of actual logic level on

the pin.

6.42

1...12 13 141516 17

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
7133LA90FG8	IDT	Dual-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, PQFP68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH, GREEN, FP-68	获取价格
7133LA90FGB	IDT	Dual-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, PQFP68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH, GREEN, FP-68	获取价格
7133LA90J8	IDT	PLCC-68, Reel	获取价格
7133LA90PF	IDT	Dual-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	获取价格
7133LA90PFB	IDT	Dual-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	获取价格
7133LA90PN	IDT	Multi-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, PQFP100	获取价格

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