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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LFQFP, QFP64,.47SQ,20 | 针数： | 64 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G64 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 10 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 64 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFQFP | 封装等效代码： | QFP64,.47SQ,20 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大待机电流： | 0.0015 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71321LA35TFGI | IDT |
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HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 71321LA35TFGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 71321LA55JG | IDT |
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HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 71321LA55JG8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 71321LA55JGI | IDT |
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HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 71321LA55JGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 71321LA55JI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, |
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| 71321LA55JI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52 |
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| 71321LA55PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64 |
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| 71321LA55PFG | IDT |
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HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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