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70V914S12PF

更新时间： 2024-01-10 10:05:28

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	108K
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TQFP-80, Tray

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70V914S12PF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	14 X 14MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80	针数：	80
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
JESD-30 代码：	S-PQFP-G80	JESD-609代码：	e3
长度：	14 mm	内存密度：	36864 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	9
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	80	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4KX9	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

70V914S12PF 数据手册

IDT70V914S

High-Speed 3.3V (4K x 9) Synchronous Dual-Port Static RAM

Industrial and Commercial Temperature Ranges

Timing Waveform of Read Cycle, Either Side

tCYC

tCL

CLK

tSCK

SCK

HCK

CLKEN

R/W

ADDRESS

DATAOUT

An + 1

An + 2

An + 3

(1)

CKHZ

Qn + 1

(1)

tCKLZ

(1)

OHZ

OLZ

5616 drw 06

Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read^(2,3,4)

CLK "A"

R/W "A"

MATCH

ADDR "A"

DATA IN "A"

CLK "B"

MATCH

VALID

(5)

CCS

tCD

R/W "B"

MATCH

ADDR "B"

MATCH

tCWDD

tCD

DATA OUT "B"

VALID

5616 drw 07

NOTES:

1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).

2. CE^L= CER = VIL, CLKENL = CLKENR = VIL.

3. OE = VIL for the reading port, port 'B'.

4. All timing is the same for left and right ports. Ports "A" may be either the left or right port. Port "B" is opposite from port "A".

5. If t^CCS< maximum specified, then data from right port READ is not valid until the maximum specified for tCWDD.

If t^CCS> maximum specified, then data from right port READ is not valid until tCCS + tCD. tCWDD does not apply in this case.

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