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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | BGA, BGA256,16X16,40 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.28 |
| 最长访问时间： | 6 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 83 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B256 | JESD-609代码： | e1 |
| 内存密度： | 1179648 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 256 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA256,16X16,40 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小待机电流： | 3.15 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.31 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 70V3579S6BCGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V3579S6BCGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V3579S6BFG | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V3579S6BFG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V3579S6BFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V3579S6BFGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V3579S6DR | IDT |
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PQFP-208, Tray |
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| 70V3579S6DRG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO |
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| 70V3579S6DRG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO |
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| 70V3579S6DRGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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