是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, BGA144,13X13,32 | 针数: | 144 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.17 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B144 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 144 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA144,13X13,32 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.003 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.18 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V27L55BFG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V27L55BFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V27L55BFGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V27L55PF | IDT |
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TQFP-100, Tray | |
70V27L55PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 | |
70V27L55PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 | |
70V27L55PFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V27L55PFGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V27S15BFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 15ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144 | |
70V27S15BFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 15ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144 |