是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.53 |
最长访问时间: | 25 ns | 其他特性: | INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J84 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 29.3116 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 84 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4KX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.57 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 29.3116 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V24L25JI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, | |
70V24L25JI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, CQCC84 | |
70V24L25PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ | |
70V24L25PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ | |
70V24L25PFGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ | |
70V24L35GG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C | |
70V24L35J8 | IDT |
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PLCC-84, Reel | |
70V24L35PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
70V24L55G | IDT |
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PGA-84, Tray | |
70V24L55GG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C |