是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 20 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 100 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 4KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP100,.63SQ,20 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.005 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.225 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V24S25G | IDT |
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PGA-84, Tray | |
70V24S25GG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C | |
70V24S25GG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
70V24S25GGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C | |
70V24S25GI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, | |
70V24S25J | IDT |
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PLCC-84, Tube | |
70V24S25J8 | IDT |
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PLCC-84, Reel | |
70V24S25JG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
70V24S25JGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
70V24S25JI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, |