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70T653MS12BCGI8 PDF预览

70T653MS12BCGI8

更新时间： 2024-11-08 19:07:27
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 705K
描述
Dual-Port SRAM, 512KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256

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70T653MS12BCGI8 技术参数

生命周期：Active包装说明：LBGA,
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.26最长访问时间：12 ns
JESD-30 代码：S-PBGA-B256长度：17 mm
内存密度：18874368 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：36功能数量：1
端子数量：256字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX36封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
座面最大高度：1.5 mm最大供电电压 (Vsup)：2.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.4 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
宽度：17 mmBase Number Matches：1

70T653MS12BCGI8 数据手册

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HIGH-SPEED 2.5V  
512K x 36  
IDT70T653M  
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT  
STATIC RAM  
Š
WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE  
Features  
◆
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
High-speed access  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
◆
◆
◆
Fully asynchronous operation from either port  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
– Commercial:10/12/15ns(max.)  
– Industrial: 12ns (max.)  
◆
◆
◆
◆
◆
◆
RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write  
cycles  
Sleep Mode Inputs on both ports  
Single 2.5V (±100mV) power supply for core  
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)  
power supply for I/Os and control signals on each port  
Includes JTAG functionality  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
external logic  
◆
◆
◆
IDT70T653M easily expands data bus width to 72 bits or  
more using the Busy Input when cascading more than one  
device  
Available in a 256-ball Ball Grid Array  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
◆
Busy input for port contention management  
Interrupt Flags  
◆
Green parts available, see ordering information  
Functional Block Diagram  
BE3L  
BE3R  
BE2R  
BE2L  
BE1L  
BE0L  
BE1R  
BE0R  
R/  
WL  
R/  
WR  
B B B B B B B B  
E E E E E E E E  
0
L
1
L
2
L
3
L
3 2 1 0  
R R R R  
CE0L  
CE1L  
CE0R  
CE1R  
OEL  
OE  
R
Dout0-8_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_L  
Dout9-17_R  
Dout18-26_R  
Dout27-35_R  
Dout18-26_L  
Dout27-35_L  
512K x 36  
MEMORY  
ARRAY  
I/O0L- I/O35L  
Di n_L  
Di n_R  
I/O0R -I/O35R  
A
18R  
0R  
A
18L  
0L  
Address  
Decoder  
Address  
Decoder  
ADDR_L  
ADDR_R  
A
A
CE0L  
CE1L  
ARBITRATION  
CE0R  
CE1R  
TDI  
TCK  
TMS  
TRST  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
JTAG  
TDO  
OE  
L
OE  
R
R/W  
L
R/W  
R
BUSY  
SEM  
L
BUSY  
SEM  
R
L
R
(1)  
(1)  
INTL  
INT  
R
ZZ  
(2)  
(2)  
ZZR  
CONTROL  
LOGIC  
ZZL  
NOTES:  
1. INT is non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
2. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. OPTx, INTx and the sleep mode  
5679 drw 01  
pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.  
JUNE 2015  
1
DSC-5679/6  
©2015 Integrated Device Technology, Inc.  
1234567...24

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与70T653MS12BCGI8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
70T653MS15BCG IDT

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 		Dual-Port SRAM, 512KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREE
70T653MS15BCG8 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 512KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREE
70T653MS15BCGI IDT

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 		HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
70T653MS15BCGI8 IDT

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 		HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
70T659 RENESAS

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 		128K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's
70T659S10BCG IDT

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 		HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
70T659S10BCG8 IDT

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 		HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
70T659S10BCGI8 IDT

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 		Application Specific SRAM, 128KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM
70T659S10BFG IDT

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