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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | BGA, BGA100,10X10,20 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.56 |
| 最长访问时间： | 90 ns | 其他特性： | IT ALSO OPERATES AT SUPPLY VOLTAGE 2.5 V AND 3 V NOMINAL |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PBGA-B100 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 131072 bit |
| 内存集成电路类型： | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA100,10X10,20 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 1.8/3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.006 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 70P264L40BYI | IDT | Application Specific SRAM, 16KX16, 40ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, BGA-81 |
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| 70P264L55BYGI8 | IDT | Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-81 |
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| 70P264L55BYI | IDT | Application Specific SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, BGA-81 |
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| 70P265L65BYGI8 | IDT | Dual-Port SRAM, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 |
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| 70P265L65BYI | IDT | Application Specific SRAM, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100 |
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| 70P265L90BYGI | IDT | Dual-Port SRAM, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.5 MM PITCH, GREEN, BGA-100 |
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