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70P254L40BYI

更新时间: 2024-01-06 14:39:34
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 111K
描述
Application Specific SRAM, 8KX16, 40ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, BGA-81

70P254L40BYI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:BGA, BGA81,9X9,20
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.69
最长访问时间:40 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PBGA-B81JESD-609代码:e0
内存密度:131072 bit内存集成电路类型:APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:2端子数量:81
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装等效代码:BGA81,9X9,20
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000006 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.04 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL端子节距:0.5 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

70P254L40BYI 数据手册

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IDT70P264/254/244L  
Low Power 1.8V 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM  
Datasheet  
Industrial Temperature Range  
AC Test Conditions  
Input Pulse Levels  
GND to 3.0V/GND to 2.5V/GND to 1.8V  
Input Rise/Fall Times  
Input Timing Reference Levels  
Output Reference Levels  
Output Load  
3ns Max.  
1.5V/1.25V/0.9V  
1.5V/1.25V/0.9V  
Figure 1A  
7148 tbl 10  
3.3V  
3.0V/2.5V1.8V  
R3 = 1k  
3.0V/2.5V  
1.8V  
R1  
R1  
R2  
1022  
729Ω  
13500Ω  
10800Ω  
30pF  
7148 tbl 10_5  
R2  
30pF  
7148 drw 03a  
7148 drw 03  
Figure 1B. AC Output Test Load for Interrupt  
Figure 1A. AC Output Test Load  
(5pF for tLZ, tHZ, tWZ, tOW)  
Timing of Power-Up Power-Down  
CE  
tPU  
tPD  
I
CC  
50  
%
50%  
I
SB  
,
7148 drw 04  
6.42  
7

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