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70P254L40BYI

更新时间： 2024-01-09 13:17:08

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	111K
描述
Application Specific SRAM, 8KX16, 40ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, BGA-81

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70P254L40BYI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	BGA, BGA81,9X9,20
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.69
最长访问时间：	40 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PBGA-B81	JESD-609代码：	e0
内存密度：	131072 bit	内存集成电路类型：	APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	81
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA81,9X9,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.000006 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

70P254L40BYI 数据手册

IDT70P264/254/244L

Datasheet

Low Power 1.8V 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM

Industrial Temperature Range

AbsoluteMaximumRatings⁽¹⁾

Symbol

Rating

Industrial

Unit

TERM

Supply Voltage on VDD

with Respect to GND

-0.5 to +2.9

VTERM

Supply Voltage on VDDQL

with Respect to GND

-0.5 to +3.6

(2)

TERM

Terminal Voltage with

Respect to GND

-0.5 to VDD +0.3⁽⁴⁾

(3)

BIAS

STG

Temperature Under Bias

Storage Temperature

Junction Temperature

DC Output Current

-55 to +125

-65 to +150

+150

^oC

OUT (for

DDQL = 3.0V)

OUT (for

DC Output Current

DDQL = 2.5V)

7148 tbl 03

NOTES:

1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent

damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these

or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not

implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect

reliability.

2. VTERM must not exceed VDD + 0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns maximum, and

is limited to < 20mA for the period over VTERM = VDD + 0.3V.

3. Ambient Temperature under DC Bias. No AC Conditions. Chip Deselected.

4. V^DDQL+ 0.3V for left port.

Capacitance

MaximumOperatingTemperature

andSupplyVoltage⁽¹⁾

(TA = +25°C, f = 1.0MHz)

Symbol

Parameter

Input Capacitance

Output Capacitance

Conditions⁽²⁾

IN = 3dV

OUT = 3dV

Max. Unit

Grade

Ambient

GND

VDD

Temperature

CIN

Industrial

-40^OC to +85^OC

1.8V

100mV

COUT

7148 tbl 04

7148 tbl 07

NOTE:

NOTES:

1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.

1. This parameter is determined by device characterization but is not production

tested.

2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output signals

switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.

6.42

1 2 345 6 7...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
70P254L55BYGI8	IDT	Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-81	获取价格
70P254L55BYI	IDT	Application Specific SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, BGA-81	获取价格
70P255L65BYGI8	IDT	Dual-Port SRAM, 8KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100	获取价格
70P255L65BYI	IDT	Application Specific SRAM, 8KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100	获取价格
70P255L90BYGI8	IDT	Dual-Port SRAM, 8KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100	获取价格
70P255L90BYI	IDT	Application Specific SRAM, 8KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100	获取价格

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