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70P249L90BYGI8

更新时间: 2024-01-06 20:38:44
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 147K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX16, 60ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100

70P249L90BYGI8 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.66
最长访问时间:60 ns其他特性:IT CAN OPERATE ALSO 2.5 TO 3 VOLT
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PBGA-B100
JESD-609代码:e1内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:2端子数量:100
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装等效代码:BGA100,10X10,20
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8/3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000006 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.06 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL端子节距:0.5 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

70P249L90BYGI8 数据手册

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IDT70P269/259/249L  
Low Power 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM  
Industrial Temperature Range  
DC Electrical Characteristics Over the Operating and  
TemperatureandSupplyVoltageRange  
70P269/259/249  
Ind'l Only  
65 ns  
90 ns  
Typ.  
Symbol  
Parameter  
Test Condition (1)  
VDD  
1.8V  
2.5V  
3.0V  
1.8V  
2.5V  
3.0V  
1.8V  
2.5V  
3.0V  
1.8V  
2.5V  
3.0V  
1.8V  
2.5V  
3.0V  
Typ.  
25  
39  
49  
2
Max.  
Max.  
25  
40  
60  
6
Unit  
mA  
µA  
mA  
µA  
40  
55  
70  
6
15  
28  
42  
2
IDD  
VDD = MAX, IOUT = 0mA  
Dynamic Operating Current  
CS  
MSEL  
or > VDDIO - 0.2V,  
f = fMAX  
R
and CS  
L
> VDDIO - 0.2V,  
Standby Current (Both Ports  
Inactive)  
L
and MSEL  
R
< 0.2V  
ISB1  
6
8
6
8
7
10  
18  
30  
40  
6
7
10  
14  
25  
35  
6
8.5  
21  
28  
2
8.5  
18  
25  
2
Standby Current (One Port  
Active, One Port Inactive)  
CS  
R
or CSL > VDDIO - 0.2V,  
f = fMAX  
ISB2  
CS  
MSEL  
or > VDDIO - 0.2V,  
f = 0  
R
and CS  
L
> VDDIO - 0.2V,  
Full Standby Current (Both  
Ports Inactive - CMOS Level  
Inputs)  
L
and MSEL  
R
< 0.2V  
ISB3  
4
6
4
6
6
8
6
8
8.5  
21  
28  
18  
30  
40  
8.5  
18  
25  
14  
25  
35  
Standby Current (One Port  
Active, One Port Inactive -  
CMOS Level Inputs)  
CS  
L
or CS  
f = fMAX  
R > VDDIO - 0.2V,  
ISB4  
mA  
7146 tbl 09  
NOTE :  
1. fMAX = 1/tRC = All inputs cycling at f = 1/tRC (except output enable). f=0 means no address or control lines change. This applied only to inputs at CMOS  
level standby ISB3.  
OCTOBER 16, 2008  
6.42  
7

与70P249L90BYGI8相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
70P249L90BYI IDT Application Specific SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100

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70P254L40BYGI8 IDT Dual-Port SRAM, 8KX16, 40ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-81

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70P254L40BYI IDT Application Specific SRAM, 8KX16, 40ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, BGA-81

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70P254L55BYGI8 IDT Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-81

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70P254L55BYI IDT Application Specific SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, BGA-81

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70P255L65BYGI8 IDT Dual-Port SRAM, 8KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100

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