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70P248L55BYI

更新时间： 2024-01-16 01:51:15

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	168K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, BGA-100

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70P248L55BYI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, BGA-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.45	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PBGA-B100	JESD-609代码：	e0
长度：	6 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	100
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA100,10X10,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	1.8,2.5/3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大待机电流：	0.000008 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

70P248L55BYI 数据手册

IDT70P258/248L

Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM

Industrial Temperature Range

DC Electrical Characteristics Over the Operating

Temperature and Supply Voltage Range (VDD = 1.8V ± 100mV)

Symbol

Parameter

Min.

___

Max.

Unit

Test Conditions

DD = 1.8V, VIN = 0V to

CE = V^IH, VOUT = 0V to

OLL = +2mA

OHL = -2mA

OLL = +2mA

OHL = -2mA

OLR = +0.1mA

OHR = -0.1mA

ILI

Input Leakage Current

µA

VDD

___

ILO

Output Leakage Current

µA

VDD

___

VOLL

VOHL

VOLL

VOHL

VOLR

VOHR

Output Low Voltage (VDDQL = 3.0V)

Output High Voltage (VDDQL = 3.0V)

Output Low Voltage (VDDQL = 2.5V)

Output High Voltage (VDDQL = 2.5V)

Output Low Voltage

0.4

___

2.1

___

0.4

___

2.0

___

0.2

___

Output High Voltage

DD - 0.2V

5675 tbl 08

DC Electrical Characteristics Over the Operating

Temperature and Supply Voltage Range (VDD = 1.8V ±100mV)

70P258/248

Ind'l Only

Symbol

Parameter

Test Condition

Version

Typ.⁽¹⁾

Max.

Unit

IDD

Dynamic Operating Current

(Both Ports Active)

IND'L

CE = V^IL, Outputs Open

(2)

f = f^MAX

ISB1

Standby Current (Both Ports

Inactive)

µA

and CE

= VIH, SEMR = SEML =

VIH

(2)

f = fMAX

(3)

ISB2

Standby Current (One Port

Inactive, One Port Active)

8.5

CE"

" = VIL and CE"B" = VIH , Active Port Outputs Open

(2)

f = f^MAX

ISB3

Full Standby Current (Both

Ports Inactive - CMOS Level SEM

Both Ports CE

and CE

> VDDQ - 0.2V,

f = 0

CE^"A"< 0.2V and CE"B" > VDDQ - 0.2V

IND'L

and SEM

R > VDDQ - 0.2V, VIN > VDDQ - 0.2V or VIN < 0.2V

(4)

Inputs)

M/S = V^DDor VSS ,

(4)

ISB4

Standby Current (One Port

Inactive, One Port Active -

CMOS Level Inputs)

8.5

IN > VDDQ - 0.2V or VIN < 0.2V, Active Port Outputs Open

(2)

f = f^MAX

5675 tbl 09

NOTES:

1. V^DD= 1.8V, TA = +25°C, and are not production tested. IDD DC = 15mA (typ.)

2. At f = fMAX, address and control lines are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/tRC, and using “AC Test Conditions”.

3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".

4. If M/S = VSS, then fBUSYL = fBUSYR = 0 for full standby mode.

6.42

1...3 4 567 8 9...23

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
70P248L55BYI8	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, BGA-100	获取价格
70P249L65BYGI8	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 40ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100	获取价格
70P249L65BYI	IDT	Application Specific SRAM, 4KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM, BGA-100	获取价格
70P249L90BYGI8	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 60ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100	获取价格
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