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70P248L55BYI

更新时间： 2024-01-18 05:42:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 168K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, BGA-100

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70P248L55BYI 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, BGA-100
针数：100Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.45Is Samacsys：N
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PBGA-B100JESD-609代码：e0
长度：6 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：2端子数量：100
字数：4096 words字数代码：4000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA100,10X10,20
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：1.8,2.5/3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm最大待机电流：0.000008 A
最小待机电流：1.7 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.025 mA最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：BALL端子节距：0.5 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：6 mmBase Number Matches：1

70P248L55BYI 数据手册

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IDT70P258/248L  
Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM  
Industrial Temperature Range  
Capacitance  
MaximumOperatingTemperature  
andSupplyVoltage(1)  
(TA = +25°C, f = 1.0MHz)  
Symbol  
Parameter  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Conditions(2)  
IN = 3dV  
OUT = 3dV  
Max. Unit  
Grade  
Ambient  
GND  
VDD  
Temperature  
CIN  
V
9
pF  
Industrial  
-40OC to +85OC  
0V  
1.8V  
+
100mV  
COUT  
V
11  
pF  
5675 tbl 05  
5675 tbl 07  
NOTES:  
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.  
NOTES:  
1. This parameter is determined by device characterization but is not production  
tested.  
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output signals  
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.  
RecommendedDCOperatingConditions(VDDQL =3.0V±300mV)  
Symbol  
Parameter  
Min.  
1.7  
2.7  
0
Typ.  
Max.  
Unit  
Supply Voltage(4)  
V
V
V
V
V
V
V
DD  
1.8  
1.9  
V
DDQL  
SS  
Left Port Supply Voltage  
Ground  
3.0  
3.3  
V
0
0
V
___  
IHL  
ILL  
Input High Voltage (VDDQL = 3.0V)  
Input Low Voltage (VDDQL = 3.0V)  
Input High Voltage(3)  
Input Low Voltage(3)  
2.0  
-0.2  
1.2  
-0.2  
V
DDQL + 0.2  
0.6  
V
___  
___  
___  
V
IHR  
ILR  
V
DD + 0.2  
0.4  
V
V
5675 tbl 06  
RecommendedDCOperatingConditions(VDDQL =2.5V±100mV)  
Symbol  
Parameter  
Min.  
1.7  
2.4  
0
Typ.  
Max.  
Unit  
Supply Voltage(4)  
V
V
V
V
V
V
V
DD  
1.8  
1.9  
V
DDQL  
SS  
Left Port Supply Voltage  
Ground  
2.5  
2.6  
V
0
0
V
___  
IHL  
ILL  
Input High Voltage (VDDQL = 2.5V)  
Input Low Voltage (VDDQL = 2.5V)  
Input High Voltage(3)  
Input Low Voltage(3)  
1.7  
-0.3  
1.2  
-0.2  
V
DDQL + 0.3  
0.7  
V
___  
___  
___  
V
IHR  
ILR  
V
DD + 0.2  
0.4  
V
V
5675 tbl 06_5  
NOTES:  
1. VIL > -1.5V for pulse width less than 10ns.  
2. VTERM must not exceed VDD + 0.3V.  
3. SFEN operates at the 1.8V VIH and VIL voltage levels.  
4. M/S operates at the VDD and VSS voltage levels.  
6.42  
5
12345678...23

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