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70P246L55BYGI

更新时间： 2024-02-15 15:53:53

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	166K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100

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70P246L55BYGI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	S-PBGA-B100
JESD-609代码：	e1	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

70P246L55BYGI 数据手册

IDT70P256/246L

Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM

Industrial Temperature Range

IDT70P256/246L

Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM

Preliminary

Industrial Temperature Range

Device 1

Device 2

IRR

IRR1

Input Read Register

(ADDRESS x0000)

0R - A12R

0L - A12L

Address & I/O

Control

I/O0L - I/O15L

I/O0R - I/O15R

Memory

Array

5699 drw 16

Figure 3. Input Read Register

Device 2

Device 1

Device 4

Device 3 Device 5

₀ODR

ODR

Output Drive Register

(ADDRESS x0001)

0R - A12R

0L - A12L

Address & I/O

Control

I/O0L - I/O15L

I/O0R - I/O15R

Memory

Array

5699 drw 17

Figure 4. Output Drive Register

6.42

1...16 17 181920 21 22 23

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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70P246L55BYI8	IDT	SRAM	获取价格
70P247L55BYGI	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, B	获取价格
70P247L55BYGI8	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, B	获取价格
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