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70P245L65BYGI8

更新时间： 2024-01-19 06:10:03

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	156K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100

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70P245L65BYGI8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	65 ns
其他特性：	IT CAN OPERATE ALSO 2.5 TO 3 VOLT	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PBGA-B100	JESD-609代码：	e1
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	100	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA100,10X10,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.000008 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

70P245L65BYGI8 数据手册

IDT70P265/255/245L

VERY LOW POWER 1.8V

16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

Features

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

One port with dedicated time-muliplexed address/data

(ADM) interface

Power supply isolation functionality to aid system power

management

Separate upper-byte and lower-byte control

Supports 3.0V, 2.5V and 1.8V I/O's

Input Read Register

Output Drive Register

BUSY and Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

Fully asynchronous operation from either port

Available in 100 Ball 0.5mm-pitch BGA

Industrial temperature range (-40°C to +85°C)

Green parts available, see ordering information

◆

One port configurable to standard SRAM or time-multi-

plexed address/data interface

High-speed access

– Industrial: 65ns (max.), ADM mode

– Industrial: 40ns (max.), Standard SRAM mode

Low-power operation

◆

IDT70P265/255/245L

Active:27mW(typ.)

Standby:3.6µW(typ.)

Functional Block Diagram

IRR1 – IRR0 ⁽²⁾

ODR4 – ODR0

SFEN

IRR/ODR

I/O_15L– I/O_8L

Data <15..0>

I/O_7L– I/O_0L

I/O_15R– I/O_8R

Data <15..0>

I/O_7R– I/O_0R

Mux’ed

Address /

Memory Array

Address /

Data

I/O Control

16K/8K/4K x 16

Data

I/O Control

ADV_L

ADV_R

UB_R

LB_R

AddrL <13..0>

AddrR <13..0>

UB_L

LB_L

A_13R– A_0R

Address

Decode

Address

Decode

MSEL

CS_L

OE_L

CS_R

Control Logic

OE_R

WE_L

WE_R

BUSY_R

INT_R

BUSY_L

INT_L

7145 drw 01

NOTES:

1. A13 - A0 for IDT70P265; A12 - A0 for IDT70P255; A11 - A0 for IDT70P245.

2. IRR0 and IRR1 are not available for IDT70P265.

SEPTEMBER 2011

DSC-7145/3

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
70P245L65BYI	IDT	Application Specific SRAM, 4KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100	获取价格
70P245L90BYGI	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.5 MM PITCH, GREEN, BGA-100	获取价格
70P245L90BYGI8	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100	获取价格
70P245L90BYI	IDT	Application Specific SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100	获取价格
70P246L55BYGI	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, B	获取价格
70P246L55BYGI8	IDT	SRAM	获取价格

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