Datasheet > 7027S55GB

7027S55GB

更新时间： 2024-10-27 19:58:43

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	161K
描述
Dual-Port SRAM, 32KX16, 25ns, CMOS, CPGA108, 1.210 X 1.210 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-108

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

7027S55GB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	1.210 X 1.210 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-108
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
最长访问时间：	25 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CPGA-P108	JESD-609代码：	e0
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	108
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	PGA	封装等效代码：	PGA108,12X12
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.31 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

7027S55GB 数据手册

HIGH-SPEED

IDT7027S/L

32K x 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

Features

◆

external logic

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

◆

IDT7027 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

M/S = VIH for BUSY output flag on Master,

M/S = VIL for BUSY input on Slave

access of the same memory location

High-speed access

◆

–

Military: 25/35/55ns (max)

– Industrial: 25ns (max.)

– Commercial:20/25/35/55ns (max.)

Low-power operation

◆

Busy and Interrupt Flags

On-chip port arbitration logic

– IDT7027S

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply

Available in 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP) and 108-pin

Ceramic PinGridArray(PGA)

Active: 750mW (typ.)

Standby: 5mW (typ.)

– IDT7027L

◆

Active: 750mW (typ.)

Standby: 1mW (typ.)

Separate upper-byte and lower-byte control for bus

matching capability.

◆

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Dual chip enables allow for depth expansion without

FunctionalBlockDiagram

R/WL

UBL

UBR

CE0L

CE0R

CE1L

CE1R

OER

LBR

OEL

LBL

I/O^8-15L

I/O_8-15R

I/O

Control

I/O

Control

0-7L

I/O

I/O0-7R

(1,2)

BUSYR

BUSY_L

32Kx16

A14R

A0R

A14L

Address

Decoder

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

7027

A0L

A14L

A14R

A0R

CE0R

A0L

CE0L

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

CE1L

OEL

CE1R

OER

R/WR

SEML

INTL

SEMR

(2)

INTR

M/S⁽²⁾

3199 drw 01

NOTES:

1. BUSY is an input as a Slave (M/S=V^IL) and an output as a Master (M/S=VIH).

2. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).

MAY 2000

DSC 3199/7

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与7027S55GB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
7027S55GG	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7027S55GG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX16, 55ns, CMOS, CPGA108, 1.210 X 1.210 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN,
7027S55GGI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7027S55GGI8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7027S55PF8	IDT	获取价格	TQFP-100, Reel
7027S55PFG	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7027S55PFG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100
7027S55PFGI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7027S55PFGI8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7028	NXP	获取价格	PACKAGED MAGNETRON FOR USE AS PULSED OSCILLATOR

与7027S55GB相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

11
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

10
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

37
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7027S55GB

7027S55GB 技术参数

7027S55GB 数据手册

与7027S55GB相关器件

与7027S55GB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7027S55GB

7027S55GB 技术参数

7027S55GB 数据手册

与7027S55GB相关器件

与7027S55GB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？