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7025L17F

更新时间： 2024-10-29 10:18:55
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 178K
描述
Dual-Port SRAM, 8KX16, 17ns, CMOS, FP-84

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7025L17F 数据手册

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IDT7025S/L  
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM  
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges  
AC Electrical Characteristics Over the  
OperatingTemperatureandSupplyVoltageRange(4)  
7025X15  
7025X17  
7025X20  
Com'l, Ind  
& Military  
7025X25  
Com'l &  
Military  
Com'l Only  
Com'l Only  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
READ CYCLE  
____  
____  
____  
____  
tRC  
tAA  
Read Cycle Time  
15  
17  
20  
25  
ns  
ns  
ns  
____  
____  
____  
____  
Address Access Time  
15  
15  
15  
17  
17  
17  
20  
20  
20  
25  
25  
25  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
Chip Enable Access Time(3)  
Byte Enable Access Time(3)  
tACE  
tABE  
tAOE  
tOH  
tLZ  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Output Enable Access Time(3)  
Output Hold from Address Change  
Output Low-Z Time(1,2)  
10  
10  
12  
13  
____  
____  
____  
____  
3
3
3
3
____  
____  
____  
____  
3
3
3
3
____  
____  
____  
____  
Output High-Z Time(1,2)  
tHZ  
10  
10  
12  
15  
____  
____  
____  
____  
Chip Enable to Power Up Time(1,2)  
tPU  
tPD  
tSOP  
tSAA  
0
0
0
0
____  
____  
____  
____  
Chip Disable to Power Down Time(1,2)  
Semaphore Flag Update Pulse (OE or SEM)  
Semaphore Address Access(3)  
15  
17  
20  
25  
____  
____  
____  
____  
10  
10  
10  
10  
____  
____  
____  
____  
15  
17  
20  
25  
ns  
2683 tbl 12a  
7025X35  
Com'l &  
Military  
7025X55  
Com'l, Ind  
& Military  
7025X70  
Military Only  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
READ CYCLE  
____  
____  
____  
t
RC  
AA  
ACE  
ABE  
AOE  
OH  
LZ  
HZ  
PU  
PD  
SOP  
SAA  
Read Cycle Time  
35  
55  
70  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
____  
____  
____  
t
Address Access Time  
35  
35  
35  
55  
55  
55  
70  
70  
70  
Chip Enable Access Time(3)  
Byte Enable Access Time(3)  
Output Enable Access Time(3)  
Output Hold from Address Change  
Output Low-Z Time(1,2)  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
t
t
20  
30  
35  
____  
____  
____  
t
3
3
3
____  
____  
____  
t
3
3
3
Output High-Z Time(1,2)  
15  
25  
30  
____  
____  
____  
t
t
Chip Enable to Power Up Time(1,2)  
Chip Disable to Power Down Time(1,2)  
Semaphore Flag Update Pulse (OE or SEM)  
Semaphore Address Access(3)  
0
0
0
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
35  
50  
50  
____  
____  
____  
t
15  
15  
15  
____  
____  
____  
t
35  
55  
70  
ns  
2683 tbl 12b  
NOTES:  
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).  
2. This parameter is guaranteed by device characterazation, but is not production tested.  
3. To access RAM, CE = VIL, UB or LB = VIL, and SEM = VIH. To access semephore, CE = VIH or UB & LB = VIH, and SEM = VIL.  
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).  
6.42  
9
1...6789101112...22

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