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7025ERPQS-35

更新时间： 2024-01-08 13:34:22

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麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
20页	524K
描述
(8K x 16-Bit) Dual Port RAM High-Speed CMOS

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7025ERPQS-35 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	QFP
包装说明：	QFF,	针数：	84
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.19
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	S-XQFP-F84
长度：	16.51 mm	内存密度：	131072 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	84
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX16
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	QFF
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.8 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
总剂量：	100k Rad(Si) V	宽度：	16.51 mm
Base Number Matches：	1

7025ERPQS-35 数据手册

(8K x 16-Bit) Dual Port RAM High-Speed CMOS

7025E

TABLE 8. 7025E AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR WRITE CYCLE

(V_CC= 5V ± 10%, V_SS= 0V, T_A= -55 TO 125 ^°C)

P^ARAMETER

SYMBOL

SUBGROUPS

MIN

MAX

UNIT

Chip Select to End of Write ¹

-35

-45

t_SW

9, 10, 11

Address Setup Time

-35

-45

t_AS

Write Pulse Width

-35

-45

t_WP

Write Recovery Time

-35

-45

t_WR

t_DW

t_HZ

Data Valid to End of Write

-35

-45

Output High Z Time ^2,3

-35

-45

Data Hold Time

-35

-45

Write Select to Output in High Z ^2,3

-35

-45

t_DH

t_WZ

2,3,4

Output Active from End of Write

-35

-45

t_OW

t_SWRD

t_SPS

SEM Flag Write to Read Time

-35

-45

SEM Flag Contention Window

-35

-45

1. To access RAM, CS = V_IL, UB or LB = V_IL, SEM = V_IH. To access semaphore, CS = V_INand SEM = V_IL. Either condition must be

valid for the entire t_EWtime.

2. Guaranteed by design.

3. Transition is measured ± 500 mV from low or high impedance voltage with load.

4. The specification for t_DHmust be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t_DH

and t_DW

08.15.02 Rev 2

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