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7025ERPQS-35

更新时间： 2024-02-12 05:45:13

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麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
20页	524K
描述
(8K x 16-Bit) Dual Port RAM High-Speed CMOS

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7025ERPQS-35 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	QFP
包装说明：	QFF,	针数：	84
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.19
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	S-XQFP-F84
长度：	16.51 mm	内存密度：	131072 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	84
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX16
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	QFF
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.8 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
总剂量：	100k Rad(Si) V	宽度：	16.51 mm
Base Number Matches：	1

7025ERPQS-35 数据手册

(8K x 16-Bit) Dual Port RAM High-Speed CMOS

7025E

TABLE 4. 7025E RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

PARAMETER

SYMBOL

MIN

MAX

UNITS

Thermal Impedance

Θ_JC

1.02

125

°C/W

^°C

Operating Temperature Range

T_A

-55

TABLE 5. 7025E CAPACITANCE

PARAMETER

SYMBOL

MIN

MAX

UNITS

Input Capacitance: V_IN= 0V¹

Output Capacitance: V_OUT= 0V¹

C_IN

C_OUT

1. Guaranteed by design.

TABLE 6. 7025E DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(V_CC= 5V ± 10%, T_A= -55 TO 125 ^°C UNLESS OTHERWISE)

P^ARAMETER

SYMBOL

SUBGROUPS

MIN

MAX

UNITS

Input Leakage Current ¹

Output Leakage Current ²

I_LI

I_LO

1, 2, 3

±10

µA

Standby Supply Current, Both ports TTL level inputs

I_CCSB

-35

-45

Standby Supply Current, Both ports CMOS level inputs

-35

-45

I_CCSB1

1, 2, 3

Operating Supply Current, Both ports Active

-35

-45

I_CCOP

320

280

Operating Supply Current, One Port Active, One Port Standby

I_CCOP1

-35

-45

190

180

Input Low Voltage³

Input High Voltage

Output Low Voltage ⁴

Output High Voltage

V_IL

V_IH

1, 2, 3

2.2

0.8

V_OL

V_OH

2.4

0.4

1. VCC = 5.5V, VIN = GND to VCC, CS = VIH, VOUT = 0 to VCC.

2. Vcc=5.5V; Vout = GND to Vcc

3. VIH max = VCC + 0.3V, VIL min = -0.3V or -1V pulse width 50 ns

4. V_CCmin, I_OL= 4 mA, I_OH= -4 mA.

08.15.02 Rev 2

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