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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | QFP, QFP64,.66SQ,32 | 针数： | 64 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.05 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQFP-G64 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 64 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QFP | 封装等效代码： | QFP64,.66SQ,32 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.3 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 7005S55PFGB8 | IDT | Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 |
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| 7005S55PFGI | IDT | Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 |
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| 7005S55PFGI8 | IDT | Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 |
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| 7005S70FGB | IDT | Dual-Port SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PQFP68, 0.970 X 0.970 INCH, 0.080 INCH HEIGHT, GREEN, QF |
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| 7005S70FGB8 | IDT | Dual-Port SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PQFP68, 0.970 X 0.970 INCH, 0.080 INCH HEIGHT, GREEN, QF |
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| 7005S70GG | IDT | HIGH-SPEED 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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