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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.41 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 475 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 6 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 60S8-TP | MCC |
功能相似  |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P |
|
| 60S8-BP | MCC |
功能相似 |
暂无描述 |
|
| 60S8 | MCC |
功能相似 |
Rectifier 50 - 1000 Volts 6 Amp Axial-Lead Glass Passivated |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 60-S8 | JST |
获取价格 |
Ring tongue terminal (R-type, Non-insulated) |
|
| 60S8-AP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P |
|
| 60S8-AP-HF | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 60S8-BP | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 60S8-BP-HF | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 60S8-T | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| 60S8-TP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P |
|
| 60S8-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 60SB03S | NEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, 30V V(RRM), Silicon, |
|
| 60SB04S | NEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, 40V V(RRM), Silicon, |
|
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