60S8-TP-HF

更新时间： 2024-11-09 13:04:47

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	434K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

60S8-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.31
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	6 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	800 V	最大反向电流：	5 µA
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

60S8-TP-HF 数据手册

M C C

60S05

thru

60S10

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

6 Amp Axial-Lead

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Glass Passivated

Rectifier

High Surge Current Capability and Low Leakage

Glass Passivated Chip

50 - 1000 Volts

Maximum Ratings

DO-201AD

Operating Junction Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Reccurrent

Peak

Reverse

Voltage

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

60S05

60S1

60S2

60S4

60S6

60S8

60S10

60S05

60S1

60S2

60S4

60S6

60S8

60S10

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

140V

280V

420V

560V

700V

Cathode

Mark

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

6.0A

T_A= 100°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

200A

8.3ms, half sine

Maximum

DIMENSIONS

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

I_R

1.0V

I_FM= 6.0A;

T_J= 25°C*

INCHES

MIN

.287

MIN

DIM

MAX

NOTE

.374

7.30

4.80

1.20

25.40

9.50

.189

.048

1.000

.208

.052

---

5.30

1.30

---

5mA

T_J= 25°C

100mA T_J= 100°C

Typical Junction

Capacitance

C_J

150pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

2.Pulse test: Pulse width 300 sec, Duty cycle 1%

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

与60S8-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
60SB03S	NEC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, 30V V(RRM), Silicon,
60SB04S	NEC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, 40V V(RRM), Silicon,
60SCFM	ETC	获取价格	20SCFM
60SPB045	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, 45V V(RRM), Silicon, SPD-2, 2 PIN
60SPB045A	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, 45V V(RRM), Silicon, SPD-2A, 1 PIN
60SPB045AR	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, Silicon, SPD-2A, 1 PIN
60SPB045R	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, Silicon, SPD-2, 2 PIN
60SPB060	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, 60V V(RRM), Silicon, SPD-2, 2 PIN
60SPB060AR	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, 60V V(RRM), Silicon, SPD-2A, 1 PIN
60SPB060R	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, 60V V(RRM), Silicon, SPD-2, 2 PIN

与60S8-TP-HF相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

22
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

48
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

60S8-TP-HF

60S8-TP-HF 技术参数

60S8-TP-HF 数据手册

与60S8-TP-HF相关器件

与60S8-TP-HF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

60S8-TP-HF

60S8-TP-HF 技术参数

60S8-TP-HF 数据手册

与60S8-TP-HF相关器件

与60S8-TP-HF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？