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5SNA0800N3301

更新时间： 2022-04-23 23:00:11
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ABB 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 320K
描述
IGBT Module

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5SNA0800N3301 数据手册

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5SNA 0800N330100  
1000  
100  
10  
20  
15  
10  
5
VGE = 0V  
fOSC = 1 MHz  
VOSC = 50 mV  
Cies  
VCC = 1800 V  
VCC = 2500 V  
Coes  
Cres  
IC = 800 A  
Tvj = 25 °C  
0
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
VCE [V]  
Qg [µC]  
Fig. 9  
Typical capacitances  
Fig. 10 Typical gate charge characteristics  
vs collector-emitter voltage  
2.5  
2
VCC £ 2500 V, Tvj = 125 °C  
VGE = ±15 V, RG = 2.2 ohm  
1.5  
1
0.5  
0
Chip  
Module  
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
VCE [V]  
Fig. 11 Turn-off safe operating area (RBSOA)  
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.  
Doc. No. 5SYA 1591-00 Jan 07  
page 7 of 9  
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