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5SGA30J4502

更新时间： 2024-02-10 20:40:39
品牌 Logo 应用领域
ABB 栅极
页数 文件大小 规格书
9页 365K
描述
Asymmetric Gate turn-off Thyristor

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5SGA30J4502 技术参数

生命周期：Active包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.75Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：3000 mA
最大直流栅极触发电压：1 VJESD-30 代码：O-CXDB-X4
通态非重复峰值电流：24000 A元件数量：1
端子数量：4最大通态电流：930000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1460 A断态重复峰值电压：4500 V
重复峰值反向电压：17 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED触发设备类型：GATE TURN-OFF SCR
Base Number Matches：1

5SGA30J4502 数据手册

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5SGA 30J4502  
Eoff [J]  
14  
QGQa [A]  
10000  
Eoff [J]  
18  
16  
14  
12  
10  
8
Conditions:  
µ
CS = 4 F  
9000  
8000  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
⋅
VD = ½ VDRM  
12  
10  
8
µ
diGQ/dt = 40 A/  
s
QGQa  
µ
CS = 3 F  
µ
Ω
CS = 6 F, RS = 5  
Tj = 125°C  
µ
CS = 6 F  
VDM=VDRM  
¾ VDRM  
½ VDRM  
6
6
4
4
Conditions:  
2
µ
diGQ/dt =40 A/ s  
2
Tj = 125 °C  
0
0
0
0
500  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
500  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
ITGQ [A]  
ITGQ [A]  
Fig. 12 Turn-off energy per pulse vs. turn-off current  
and peak turn-off voltage. Extracted gate  
charge vs. turn-off current.  
Fig. 13 Turn-off energy per pulse vs. turn-off current  
and snubber capacitance.  
Eoff[J]  
µ
ts [ s]  
IGQM [A]  
µ
Cs [ F]  
30 50  
1000  
6
5
4
3
2
1
IGQM  
Condition:  
⋅
VD = ½ VDRM, VDM = VDRM  
24 40  
18 30  
12 20  
800  
600  
400  
200  
0
µ
diGQ/dt = 40 A/ s  
Ω
≤
R
S = 5 , LS 300 nH  
tS  
Eoff  
6
0
10  
0
µ
Condition:  
diGQ/dt = 40 A/ s  
Tj = 125 °C  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
-10  
0
10 202530 40 50 60 707580 90 100 110 121025  
Tj [°C]  
IGQM [A]  
Fig. 14 Required snubber capacitor vs. max  
Fig. 15 Turn-off energy per pulse, storage time and  
peak turn-off gate current vs. junction  
temperature.  
allowable turn-off current.  
IGQM [A]  
IGQM [A]  
ts [s]  
ts [s]  
50  
1000  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
1000  
800  
600  
400  
200  
0
45  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
IGQM  
40  
35  
30  
tS  
25  
20  
15  
10  
5
IGQM  
Conditions:  
ITGQ = 3000 A  
Tj = 125 °C  
tS  
Conditions:  
µ
diGQ/dt =40 A/ s  
Tj = 125 °C  
0
0
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
0
500  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
ITGQ [A]  
µ
diGQ/dt [A/ s]  
Fig. 16 Storage time and peak turn-off gate current  
Fig. 17 Storage time and peak turn-off gate current  
vs. neg. gate current rise rate.  
vs. turn-off current.  
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.  
Doc. No. 5SYA1202-03 Jan. 03  
page 7 of 9  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5SGA30J4505 ABB

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 		Asymmetric Gate turn-off Thyristor
5SGA30L2501 ETC

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 		THYRISTOR|GTO|2.5KV V(DRM)|TO-200VAR120
5SGA30L4502 ETC

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 		THYRISTOR|GTO|4.5KV V(DRM)|TO-200VAR120
5SGA40L4501 ABB

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5SGF30J4502 ABB

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 		THYRISTOR|REVERSE-CONDUCTING|4.5KV V(DRM)|TO-200VAR120
5SGSED6K1F40I2N INTEL

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 		Field Programmable Gate Array, 583000-Cell, CMOS, PBGA1517, FBGA-1517

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