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5SGA30J4502

更新时间: 2024-01-02 13:13:54
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ABB 栅极
页数 文件大小 规格书
9页 365K
描述
Asymmetric Gate turn-off Thyristor

5SGA30J4502 技术参数

生命周期:Active包装说明:DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.75Is Samacsys:N
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:3000 mA
最大直流栅极触发电压:1 VJESD-30 代码:O-CXDB-X4
通态非重复峰值电流:24000 A元件数量:1
端子数量:4最大通态电流:930000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1460 A断态重复峰值电压:4500 V
重复峰值反向电压:17 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED触发设备类型:GATE TURN-OFF SCR
Base Number Matches:1

5SGA30J4502 数据手册

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5SGA 30J4502  
IT [A]  
3000  
PAV [kW]  
5.00  
4.50  
4.00  
3.50  
3.00  
2.50  
2.00  
1.50  
1.00  
0.50  
0.00  
125°C  
25°C  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
DC  
180° Rect.  
180° Sine  
120° Rect.  
60° Rect.  
0
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
0
250  
500  
750  
1000  
1250  
1500  
ITAV [V]  
VT [V]  
Fig. 2 On-state characteristics.  
Fig. 3 Average on-state power dissipation vs.  
average on-state current..  
2
ò 2  
i dt [A s]  
1.E+07  
ITSM [kA]  
100.00  
Itsm  
òI2td  
1.E+06  
10.00  
Conditions:  
Before surge: T j = 125°C  
After surge: VD = 0V  
1.E+05  
1.00  
0
1
10  
100  
tp [ms]  
Fig. 4 Surge current and fusing integral vs. pulse  
width.  
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.  
Doc. No. 5SYA1202-03 Jan. 03  
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