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5SGA40L4501

更新时间： 2024-02-12 22:10:44

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ABB		栅
页数	文件大小	规格书
9页	244K
描述
Asymmetric Gate turn-off Thyristor

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5SGA40L4501 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
通态非重复峰值电流：	26 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	1100000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1570 A	断态重复峰值电压：	4500 V
重复峰值反向电压：	17 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	GATE TURN-OFF SCR
Base Number Matches：	1

5SGA40L4501 数据手册

V_DRM

I_TGQM

I_TSM

V_T0

4500 V

4000 A

Asymmetric Gate turn-off

Thyristor

= 25×10³A

2.1 V

0.58

5SGA 40L4501

r_T

2800 V

V_Dclink

Doc. No. 5SYA1208-02 March 05

· Patented free-floating silicon technology

· Low on-state and switching losses

· Annular gate electrode

· Industry standard housing

· Cosmic radiation withstand rating

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Repetitive peak off-state

voltage

V_DRM

4500

V_GR³ 2 V

Repetitive peak reverse

voltage

V_RRM

Permanent DC voltage for V_DC-link

100 FIT failure rate

Ambient cosmic radiation at sea level

in open air.

2800

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Repetitive peak off-state

current

I_DRM

100

V_D= V_DRM, V_GR³ 2 V

Repetitive peak reverse

current

I_RRM

V_R= V_RRM, R_GK= ¥ W

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Mounting force

Characteristic values

Parameter

F_m

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Pole-piece diameter

Housing thickness

Weight

D_p

± 0.1 mm

25.6

26.1

1.5

Surface creepage distance D_s

Air strike distance D_a

Anode to Gate

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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与5SGA40L4501相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5SGF30J4502	ABB	Gate turn-off Thyristor	获取价格
5SGF40L4502	ABB	Asymmetric Gate turn-off Thyristor	获取价格
5SGR20L2501	ETC	THYRISTOR\|GTO\|2.5KV V(DRM)\|TO-200VAR120	获取价格
5SGR20L4501	ETC	THYRISTOR\|GTO\|4.5KV V(DRM)\|TO-200VAR120	获取价格
5SGR30L4501	ETC	THYRISTOR\|REVERSE-CONDUCTING\|4.5KV V(DRM)\|TO-200VAR120	获取价格
5SGSED6K1F40I2N	INTEL	Field Programmable Gate Array, 583000-Cell, CMOS, PBGA1517, FBGA-1517	获取价格