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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CXDB-X4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-CXDB-X4 |
| 通态非重复峰值电流： | 26 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最大通态电流： | 1100000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1570 A | 断态重复峰值电压： | 4500 V |
| 重复峰值反向电压： | 17 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5SGF30J4502 | ABB |
获取价格 |
Gate turn-off Thyristor |
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| 5SGF40L4502 | ABB |
获取价格 |
Asymmetric Gate turn-off Thyristor |
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| 5SGR20L2501 | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|2.5KV V(DRM)|TO-200VAR120 |
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| 5SGR20L4501 | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|4.5KV V(DRM)|TO-200VAR120 |
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| 5SGR30L4501 | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|REVERSE-CONDUCTING|4.5KV V(DRM)|TO-200VAR120 |
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| 5SGSED6K1F40I2N | INTEL |
获取价格 |
Field Programmable Gate Array, 583000-Cell, CMOS, PBGA1517, FBGA-1517 |
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| 5SGSED6K2F40C2N | INTEL |
获取价格 |
Field Programmable Gate Array, 583000-Cell, CMOS, PBGA1517, FBGA-1517 |
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| 5SGSED6K2F40I2N | INTEL |
获取价格 |
Field Programmable Gate Array, 583000-Cell, CMOS, PBGA1517, FBGA-1517 |
|
| 5SGSED6K3F40I3N | INTEL |
获取价格 |
Field Programmable Gate Array, 583000-Cell, CMOS, PBGA1517, FBGA-1517 |
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| 5SGSED6N2F45C2N | INTEL |
获取价格 |
Field Programmable Gate Array, 583000 CLBs, 583000-Cell, CMOS, PBGA1932, ROHS COMPLIANT, F |
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