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5SGA30J2501

更新时间： 2024-01-03 23:39:11

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ABB		栅极
页数	文件大小	规格书
6页	216K
描述
Gate turn-off Thyristor

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5SGA30J2501 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	4000 mA
最大直流栅极触发电压：	1.2 V	JESD-30 代码：	O-XXDB-X4
通态非重复峰值电流：	30000 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	1300000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	2040 A	断态重复峰值电压：	2500 V
重复峰值反向电压：	17 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	GATE TURN-OFF SCR
Base Number Matches：	1

5SGA30J2501 数据手册

V_DRM= 2500 V

I_TGQM= 3000 A

Gate turn-off Thyristor

I_TSM

V_T0

r_T

30 kA

1.5 V

5SGA 30J2501

= 0.33

V_DClink= 1400 V

Doc. No. 5SYA1213-02 Jan. 05

· Patented free-floating silicon technology

· Low on-state and switching losses

· Annular gate electrode

· Industry standard housing

· Cosmic radiation withstand rating

Blocking

V_DRM

V_RRM

I_DRM

Repetitive peak off-state voltage

Repetitive peak reverse voltage

Repetitive peak off-state current

Repetitive peak reverse current

2500 V

17 V

V_GR³ 2V

100 mA

50 mA

1400 V

V_D= V_DRM

V_R= V_RRM

V_GR³ 2V

R_GK= ¥

I_RRM

V_DClinkPermanent DC voltage for 100

FIT failure rate

Ambient cosmic radiation at sea level in

open air.

Mechanical data (see Fig. 3)

F_m

min.

36 kN

44 kN

Mounting force

max.

Acceleration:

50 m/s²

200 m/s²

Device unclamped

Device clamped

Weight

1.3 kg

33 mm

15 mm

D_S

D_a

Surface creepage distance

Air strike distance

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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5SGA30J4505	ABB	获取价格	Asymmetric Gate turn-off Thyristor
5SGA30L2501	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|2.5KV V(DRM)\|TO-200VAR120
5SGA30L4502	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|4.5KV V(DRM)\|TO-200VAR120
5SGA40L4501	ABB	获取价格	Asymmetric Gate turn-off Thyristor
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