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5SGA25H2501

更新时间： 2024-02-14 19:41:47

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5SGA25H2501 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.74	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	2500 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
通态非重复峰值电流：	16 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	830000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1300 A	断态重复峰值电压：	2500 V
重复峰值反向电压：	17 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	GATE TURN-OFF SCR
Base Number Matches：	1

5SGA 25H2501

Fig. 9

Fig. 10

Turn-on energy per pulse vs. on-state

current and turn-on voltage.

Turn-on energy per pulse vs. on.-state

current and current rise rate

Common Test conditions for figures 9, 10 and 11:

di_G/dt = 20 A/µs

C_S

R_S

= 6 µF

= 5 W

= 125 °C

Definition of Turn-on energy:

20 ms

Eon =

VD ×ITdt (t = 0, IG = 0.1×IGM )

Common Test conditions for figures 12, 13 and 15:

Definition of Turn-off energy:

40 ms

Eoff = VD × ITdt ( t = 0, IT = 0.9 × ITGQ )

Fig. 11

Turn-on energy per pulse vs. on-state

current and turn-on voltage.

ABB Semiconductors AG reserves the right to change specifications without notice.

Doc. No. 5SYA1206-01 Jun. 04

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5SGA30J2501	ABB	Gate turn-off Thyristor	获取价格
5SGA30J2502	ETC	THYRISTOR\|GTO\|2.5KV V(DRM)\|TO-200AF	获取价格
5SGA30J4502	ABB	Asymmetric Gate turn-off Thyristor	获取价格
5SGA30J4505	ABB	Asymmetric Gate turn-off Thyristor	获取价格
5SGA30L2501	ETC	THYRISTOR\|GTO\|2.5KV V(DRM)\|TO-200VAR120	获取价格
5SGA30L4502	ETC	THYRISTOR\|GTO\|4.5KV V(DRM)\|TO-200VAR120	获取价格