Datasheet > 5SGA25H2501

5SGA25H2501

更新时间： 2024-01-28 04:33:20

品牌	Logo	应用领域
ABB		栅极
页数	文件大小	规格书
9页	113K
描述
Gate turn-off Thyristor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

5SGA25H2501 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.74	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	2500 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
通态非重复峰值电流：	16 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	830000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1300 A	断态重复峰值电压：	2500 V
重复峰值反向电压：	17 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	GATE TURN-OFF SCR
Base Number Matches：	1

5SGA25H2501 数据手册

5SGA 25H2501

Thermal

T_j

Storage and operating

-40...125°C

junction temperature range

R_thJC

Thermal resistance

junction to case

30 K/kW Anode side cooled

39 K/kW Cathode side cooled

17 K/kW Double side cooled

10 K/kW Single side cooled

5 K/kW Double side cooled

R_thCH

Thermal resistance case to

heat sink

Analytical function for transient thermal

impedance:

R_I(K/kW) 11.7

0.9

4.7

0.26

0.64

0.0001

ZthJC (t) =

R )

(1 - e ^{-t /ti}

0.002

0.001

_i(s)

Fig. 1 Transient thermal impedance, junction to case.

ABB Semiconductors AG reserves the right to change specifications without notice.

Doc. No. 5SYA1206-01 Jun. 04

page 3 of 9

1 234 5 6 7...9

下载PDF

与5SGA25H2501相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5SGA30J2501	ABB	Gate turn-off Thyristor	获取价格
5SGA30J2502	ETC	THYRISTOR\|GTO\|2.5KV V(DRM)\|TO-200AF	获取价格
5SGA30J4502	ABB	Asymmetric Gate turn-off Thyristor	获取价格
5SGA30J4505	ABB	Asymmetric Gate turn-off Thyristor	获取价格
5SGA30L2501	ETC	THYRISTOR\|GTO\|2.5KV V(DRM)\|TO-200VAR120	获取价格
5SGA30L4502	ETC	THYRISTOR\|GTO\|4.5KV V(DRM)\|TO-200VAR120	获取价格