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5KP60AE3

更新时间: 2024-09-17 19:33:07
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
10页 526K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 60V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AR, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN

5KP60AE3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-204
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.13
最大击穿电压:73.7 V最小击穿电压:66.7 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-204ARJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值反向功率耗散:5000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:8 W
认证状态:Not Qualified参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重复峰值反向电压:60 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

5KP60AE3 数据手册

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