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5KP160E3

更新时间: 2024-11-14 19:33:07
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
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10页 526K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode

5KP160E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.65
Is Samacsys:N最大击穿电压:217 V
最小击穿电压:178 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:5000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:8 W
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5最大重复峰值反向电压:160 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

5KP160E3 数据手册

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