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5HP01SP

更新时间： 2024-11-10 21:54:55
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三洋 - SANYO /
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4页 31K
描述
5HP01SP

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5HP01SP 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.48配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.07 A
最大漏极电流 (ID)：0.07 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

5HP01SP 数据手册

 浏览型号5HP01SP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5HP01SP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5HP01SP的Datasheet PDF文件第4页 
Ordering number : ENN6683  
P-Channel Silicon MOSFET  
5HP01S  
UltrahighSpeedSwitching  
Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit : mm  
•
Low ON-resistance .  
• Ultrahigh-speed switching.  
• 4V drive.  
2192  
[5HP01S]  
0.75  
0.6  
0.3  
3
0 to 0.1  
1
2
0.2  
0.1  
0.5 0.5  
1.6  
1 : Gate  
2 : Source  
3 : Drain  
Specifications  
SANYO : SMCP  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source V oltage  
Gate-to-Source V oltage  
Drain Current (DC)  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
DSS  
-50  
±20  
V
V
V
GSS  
I
-0.07  
-0.28  
0.15  
150  
A
D
Drain Current (Pulse)  
I
PW≤10µs, dutycycle ≤1%  
A
DP  
AllowablePowerDissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
P
W
°C  
°C  
D
Tch  
Tstg  
-55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
--50  
max  
Drain-to-SourceBreakdownV oltage  
Zero-Gate V oltage Drain Current  
Gate-to-Sourse Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=-1mA, V  
=0  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
D
GS  
=-50V, V  
I
V
V
V
V
=0  
-10  
DSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
=±16V, V =0  
I
±10  
DS  
=-10V, I =-100µA  
V
(off)  
--1  
50  
--2.5  
GS  
D
Forward Transfer Admittance  
| yfs |  
=--10V, I =--40mA  
70  
17  
23  
mS  
Ω
D
R
DS  
(on)1  
I
D
=-40mA, V  
=-10V  
= -4V  
22  
32  
GS  
GS  
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
R
DS  
(on)2  
I =-20mA, V  
D
Ω
Continued on ne xt page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
12201 TS IM TA-3123 No.6683-1/4  
1234

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与5HP01SP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5HP01SS SANYO

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 		Ultrahigh-Speed Switching Applications
5HP02C SANYO

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 		5HP02C
5HP02M SANYO

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 		Ultrahigh-Speed Switching Applications
5HP02N SANYO

获取价格

 		Ultrahigh-Speed Switching Applications
5HP02SP SANYO

获取价格

 		5HP02SP
5HP24-A-106.250-1C EUROQUARTZ

获取价格

 		Oscillator,
5HP24-A-125.000-1T EUROQUARTZ

获取价格

 		Oscillator,
5HP24-A-155.520 EUROQUARTZ

获取价格

 		Oscillator,
5HP24-A-155.520-1C EUROQUARTZ

获取价格

 		Oscillator,
5HP24-A-19.440 EUROQUARTZ

获取价格

 		Oscillator,

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