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5962-9679502MXX

更新时间： 2024-01-06 08:48:51

品牌	Logo	应用领域
WEDC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	209K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 25ns, CMOS, FP-44

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技术参数
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5962-9679502MXX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FP-44
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	25 ns	JESD-30 代码：	R-XDFP-F44
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.92 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	12.955 mm
Base Number Matches：	1

5962-9679502MXX 数据手册

REVISIONS

LTR

DESCRIPTION

DATE (YR-MO-DA)

APPROVED

Changes in accordance with NOR 5962-R159-97.

96-12-20

98-02-18

Raymond Monnin

Change to Table I; I_CCDR, device type column. Updated boilerplate.

ksr

Correct E2 dimension on package X from 3.85 min and 3.95 max to

.385 min and .395 max inches. Change the I_OLtest condition for V_OL

from 8 mA to 6 mA in Table I. Updated boilerplate. ksr

04-10-27

Raymond Monnin

REV

SHEET

REV

SHEET

REV STATUS

OF SHEETS

REV

SHEET

PMIC N/A

PREPARED BY

Gary L. Gross

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

http://www.dscc.dla.mil

CHECKED BY

STANDARD

MICROCIRCUIT

DRAWING

Jeff Bowling

APPROVED BY

Michael A. Frye

MICROCIRCUIT, MEMORY,

DIGITAL, 256K X 16 STATIC

RANDOM ACCESS MEMORY

(SRAM), MONOLITHIC

SILICON

THIS DRAWING IS

AVAILABLE

FOR USE BY ALL

DEPARTMENTS

AND AGENCIES OF THE

DRAWING APPROVAL DATE

96-05-17

DEPARTMENT OF DEFENSE

AMSC N/A

REVISION LEVEL

SIZE

CAGE CODE

5962-96795

67268

SHEET

1 OF 23

DSCC FORM 2233

APR 97

5962-E010-05

12 3 4 5 6 7...24

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