是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QLCC | 包装说明: | CERAMIC, LCC-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.74 | 最长访问时间: | 55 ns |
其他特性: | SOFTWARE STORE/RECALL | JESD-30 代码: | R-CQCC-N28 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC28,.35X.55 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 2.29 mm |
最大待机电流: | 0.002 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8.89 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962-9232404MYX | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) | |
5962-9232405MXA | CYPRESS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
5962-9232405MXX | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) | |
5962-9232405MYA | CYPRESS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | |
5962-9232405MYC | CYPRESS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | |
5962-9232405MYX | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) | |
5962-9232406MXA | CYPRESS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
5962-9232406MXC | CYPRESS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 | |
5962-9232406MXX | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) | |
5962-9232406MYC | CYPRESS |
获取价格 |
8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |