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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP32,.4 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 45 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T32 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 40.64 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度： | 4.32 mm | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.115 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Gold (Au) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8959818MZX | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-8959818QTC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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| 5962-8959818QZC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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| 5962-8959818QZX | ATMEL | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32 |
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| 5962-8959818VTC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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| 5962-8959818VZC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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