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5962-8959819MYX

更新时间: 2024-02-22 14:50:45
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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14页 391K
描述
x8 SRAM

5962-8959819MYX 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.3
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-XDIP-T32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度:5.89 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

5962-8959819MYX 数据手册

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