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5962-8959818MZX

更新时间: 2024-02-20 05:27:24
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
14页 391K
描述
x8 SRAM

5962-8959818MZX 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP32,.4
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.27Is Samacsys:N
最长访问时间:45 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CDIP-T32JESD-609代码:e4
长度:40.64 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Qualified筛选级别:MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度:4.32 mm最大待机电流:0.001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.115 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Gold (Au)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

5962-8959818MZX 数据手册

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