是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP32,.4 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.27 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 45 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 40.64 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度: | 4.32 mm | 最大待机电流: | 0.001 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.115 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Gold (Au) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8959818QTC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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5962-8959818QZC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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5962-8959818QZX | ATMEL | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32 |
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5962-8959818VTC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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5962-8959818VZC | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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5962-8959819M7A | ETC | x8 SRAM |
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