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5962-8959819MTA

更新时间: 2024-01-05 04:57:18
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美高森美 - MICROSEMI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, FP-32

5962-8959819MTA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DFP, FL32,.5
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.39
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDFP-F32
JESD-609代码:e0长度:20.828 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DFP
封装等效代码:FL32,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:3.175 mm最大待机电流:0.001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.125 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.414 mmBase Number Matches:1

5962-8959819MTA 数据手册

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