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5962-8852506YX

更新时间： 2024-02-01 14:44:03

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	659K
描述
EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32

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技术参数
数据手册

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5962-8852506YX 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.83
最长访问时间：	150 ns	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

5962-8852506YX 数据手册

9. AC Read Characteristics

AT28C256-15

AT28C256-20

AT28C256-25

AT28C256-35

Symbol

Parameter

Min

Max

150

Min

Max

200

Min

Max

250

100

Min

Max

350

100

Units

t_ACC

Address to Output Delay

CE to Output Delay

OE to Output Delay

CE or OE to Output Float

(1)

t_CE

(2)

t_OE

(3)(4)

t_DF

Output Hold from OE, CE or

Address, whichever occurred first

t_OH

10. AC Read Waveforms^(1)(2)(3)(4)

Notes: 1. CE may be delayed up to t_ACC- t_CEafter the address transition without impact on t_ACC

2. OE may be delayed up to t_CE- t_OEafter the falling edge of CE without impact on t_CEor by t_ACC- t_OEafter an address change

without impact on t_ACC

3. t_DFis specified from OE or CE whichever occurs first (C_L= 5 pF).

4. This parameter is characterized and is not 100% tested.

AT28C256

0006M–PEEPR–12/09

1...3 4 567 8 9...25

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