是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | DFP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.11 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 150 ns |
其他特性: | AUTOMATIC WRITE | JESD-30 代码: | R-CDFP-F28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.285 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class C |
座面最大高度: | 3.02 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 3 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8852508UX | ATMEL | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA28 |
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5962-8852508XC | XICOR | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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5962-8852508XX | XICOR | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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5962-8852508XX | MICROCHIP | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28 |
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5962-8852508YX | XICOR | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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5962-8852508YX | MICROCHIP | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32 |
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