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5962-8852506ZX

更新时间： 2024-01-31 04:19:31

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XICOR		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器 ATM 异步传输模式内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	238K
描述
EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28

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技术参数
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5962-8852506ZX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DFP, FL28,.4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	150 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-CDFP-F28
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL28,.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
最大待机电流：	0.00035 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

5962-8852506ZX 数据手册

REVISIONS

LTR

DESCRIPTION

DATE (YR-MO-DA)

92-01-27

APPROVED

M. A. Frye

Add "Changes in accordance with NOR 5962-R115-92."

Add software data protection. Increase data retention to 20 years,

93-07-21

minimum. Add device types 08 through 16. Remove tests t_DHWL

_WHDX, and ESDS requirements from drawing.

Add "Changes in accordance with NOR 5962-R071-95."

Updated boilerplate paragraphs. ksr

95-02-14

05-04-15

M. A. Frye

Raymond Monnin

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REV

SHEET

REV

SHEET

REV STATUS

OF SHEETS

REV

SHEET

PMIC N/A

PREPARED BY

Kenneth Rice

CHECKED BY

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

STANDARD

MICROCIRCUIT

DRAWING

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

http://www.dscc.dla.mil

Raymond Monnin

APPROVED BY

Michael A. Frye

THIS DRAWING IS

AVAILABLE

MICROCIRCUIT, MEMORY,

DIGITAL, CMOS 32K X 8

EEPROM, MONOLITHIC

SILICON

FOR USE BY ALL

DEPARTMENTS

DRAWING APPROVAL DATE

88-08-29

AND AGENCIES OF THE

DEPARTMENT OF DEFENSE

AMSC N/A

REVISION LEVEL

SIZE

CAGE CODE

5962-88525

67268

SHEET

1 OF 23

DSCC FORM 2233

APR 97

5962-E286-05

12 3 4 5 6 7...28

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